Silicon nitride plate lan cara produksi

Jeneng paten:Substrat Silicon Nitridelan cara manufaktur, lan cara produksi papan sirkuit silikon nitrida lan modul semikonduktor nggunakake piring silikon nitrida
Bidang Teknis:
Penemuan saiki kalebuSubstrat Silicon Nitridelan cara manufakture. Kajaba iku, penemuan kasebut kalebu panggunaan substrat sirkuit silikon nitrida lan modul semikonduktor kanthi nggunakake ndhuwur.Substrat Silicon Nitride.
Teknik latar mburi:
Ing taun-taun pungkasan, ing lapangan lan lapangan kendaraan listrik liyane, modul semikonduktor daya (Power Semiconductor Module) (IGBT, MOSFET daya, lan liya-liyane) sing bisa digunakake kanthi tegangan dhuwur lan arus gedhe. Kanggo landasan sing digunakake ing modul semikonduktor daya, siji lumahing substrat keramik insulating bisa digunakake kanggo gabungke karo papan sirkuit logam, lan substrat sirkuit keramik karo piring radiator logam ing permukaan liyane bisa digunakake. Kajaba iku, unsur semikonduktor ing papan sirkuit logam lan liya-liyane. Kombinasi saka substrat Keramik insulating ndhuwur-kasebut karo Papan sirkuit logam lan sinks panas logam, kayata dadi-disebut tembaga basis tembaga basis tembaga basis tembaga basis tembaga basis tembaga adhedhasar tembaga basis tembaga disambungake langsung. kanggo legal. Kanggo modul semikonduktor daya kuwi, boros panas luwih gedhe kanthi mili liwat arus gedhe. Nanging, amarga substrat keramik insulating ing ndhuwur kurang ing syarat-syarat konduktivitas termal, bisa dadi faktor sing ngalangi boros panas komponen semikonduktor. Kajaba iku, generasi stres termal disebabake tingkat ekspansi termal antarane substrat keramik insulating lan papan sirkuit logam lan piring sink panas logam. Akibaté, landasan keramik insulasi retak lan rusak, utawa papan sirkuit logam utawa boros panas logam Papan kasebut diudani saka substrat keramik insulating.