Substrat Pembuangan Panas Insulating Keramik

Substrat disipasi panas isolasi keramik

Substrat disipasi panas insulasi keramik minangka jinis substrat keramik khusus sing digunakake ing piranti elektronik lan aplikasi liyane sing mbutuhake boros panas sing efektif. Substrat iki biasane digawe saka bahan kayata aluminium nitrida, silikon karbida, utawa alumina, sing dikenal kanthi kemampuan kanggo nahan suhu dhuwur lan konduktivitas termal sing dhuwur.

Fungsi utama substrat disipasi panas insulasi keramik yaiku ngilangi panas sing diasilake dening komponen elektronik kayata semikonduktor daya lan dioda pemancar cahya (LED). Substrat dirancang kanggo nyedhiyakake konduktivitas termal sing apik, supaya transfer panas sing efisien saka komponen elektronik menyang udara utawa sistem pendinginan ing saubengé. Keramik sing digunakake ing substrat kasebut minangka insulasi banget, tegese menehi sifat insulasi listrik sing luar biasa, nglindhungi komponen elektronik saka karusakan amarga kakehan listrik utawa sirkuit cendhak.

Substrat disipasi panas insulasi keramik populer ing macem-macem aplikasi industri, kalebu elektronik otomotif, elektronik daya, aeroangkasa, lan lampu LED. Dheweke luwih disenengi tinimbang bahan liyane, kayata plastik utawa logam, amarga konduktivitas termal sing unggul, insulasi listrik, lan daya tahan. Konduktivitas termal sing dhuwur saka substrat kasebut uga njamin tekanan termal sing kurang ing komponen elektronik lan materi substrat, sing nambah linuwih lan kinerja.

Sakabèhé, substrat boros panas insulating keramik nawakake kinerja lan linuwih ing aplikasi elektronik sing mbutuhake boros panas efektif, konduktivitas termal dhuwur, lan insulasi listrik.

Item: Substrat Pembuangan Panas Isolasi Keramik

Bahan: Si3N4

Warna: Grey

Ketebalan: 0,25-1 mm

Processing lumahing: pindho polesan

Kapadhetan akeh: 3.24g/㎤

Kekasaran lumahing Ra: 0.4μm

Kekuwatan mlengkung: (metode 3-titik): 600-1000Mpa

Modulus elastisitas: 310Gpa

Ketangguhan patah (IF metode): 6,5 MPa･√m

Konduktivitas termal: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor mundhut dielektrik: 0,4

Resistivitas volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Kekuwatan risak: DC> 15㎸/㎜